机译:电荷泵,双晶体管和中间能隙测量技术(MOS晶体管)的关键比较
机译:电荷泵的通用可靠模型-第一部分:模型和基本电荷泵机制
机译:硬化MOS晶体管中的辐射诱导的界面陷阱:改进的电荷泵研究
机译:磁场对MOSFET中1 / f噪声和电荷泵测量的影响
机译:高度稳定的非晶硅薄膜晶体管及其在透明塑料上可靠的有机发光二极管显示器的集成方法。
机译:采取更可靠的稳定性测量方法:有关测量次数脚位和反馈的建议-维修人员之间的横断面研究
机译:NBTI诱导的接口状态是否显示快速恢复?使用校正的快速电荷泵测量技术的研究
机译:D(sub it)的电荷泵浦,双晶体管和中间隙测量之间的差异